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IMEC公司首席执行官兼总裁Luc Van den hove首先发表了主题演讲，介绍了公司研究概况，他强调通过与ASML公司紧密合作，将下一代高分辨率EUV光刻技术——高NA EUV光刻技术商业化。IMEC公司强调，将继续把工艺规模缩小到1nm及以下。
包括日本在内的许多半导体公司相继退出了工艺小型化，声称摩尔定律已经走到了尽头，或者说成本太高，无利可图。
IT之家获悉，在日本众多光刻工具厂商纷纷退出EUV光刻开发阶段的同时，半导体研究机构IMEC和ASML一直在合作开发EUV光刻技术，而EUV光刻技术对于超细鳞片来说至关重要。
IMEC发布低至1nm及以上的逻辑器件路线图
在ITF Japan 2020上，IMEC提出了3nm、2nm、1.5nm以及1nm以下的逻辑器件小型化路线图。
▲IMEC的逻辑器件小型化路线图
上行技术节点名称下标注的PP为多晶硅互连线的节距（nm），MP为精细金属的布线节距（nm）。需要注意的是，过去的技术节点指的是***小加工尺寸或栅极长度，现在只是“标签”，并不指某一位置的物理长度。
这里介绍的结构和材料，如BPR、CFET和使用二维材料的通道等，已经单独发表。
EUV的高NA对进一步小型化至关重要
据台积电和三星电子介绍，从7nm工艺开始，部分工艺已经推出了NA=0.33的EUV光刻设备，5nm工艺也实现了频率的提高，但对于2nm以后的超精细工艺，需要实现更高的分辨率和更高的光刻设备NA（NA=0.55）。
▲符合逻辑器件工艺小型化的EUV光刻系统技术路线图
据IMEC介绍，ASML已经完成了作为NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计，但商业化计划在2022年左右。这套下一代系统将因其巨大的光学系统而变得非常高大，很有可能顶在传统洁净室的天花板下。
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